DENSO desenvolve seu primeiro inversor usando semicondutores de potência SiC

– Chips de carboneto de silício altamente eficientes reduzem significativamente a perda de energia em veículos elétricos –

KARIYA, Japão (31 de março de 2023) – A DENSO CORPORATION, fornecedora líder de mobilidade, anunciou que desenvolveu seu primeiro inversor com semicondutores de carboneto de silício (SiC). Este inversor, que está incorporado no eAxle, um módulo de direção elétrica desenvolvido pela BluE Nexus Corporation, será usado no novo Lexus RZ, o primeiro modelo de veículo elétrico a bateria (BEV) dedicado da montadora e lançado em 30 de março.

Os semicondutores de energia SiC consistem em silício e carbono que reduzem significativamente a perda de energia em comparação com os semicondutores de energia de silício (Si). Um teste de cruzeiro conduzido sob condições específicas por BEV usando inversores de semicondutor SiC demonstrou que inversores com semicondutor de potência SiC reduzem a perda de energia em menos da metade daqueles com semicondutor de Si. Como resultado, a eficiência energética dos BEVs é aprimorada e o alcance de cruzeiro é estendido.

Elementos-chave do desenvolvimento do novo inversor • Os semicondutores de potência SiC com a exclusiva estrutura de semicondutor de óxido de metal (MOS) tipo trincheira da DENSO*1 melhoram a saída por chip, pois reduzem a perda de energia causada pelo calor gerado. A estrutura única alcançou operação de alta tensão e baixa resistência*2.

Elementos-chave da fabricação do novo inversor• Com base na tecnologia de alta qualidade desenvolvida em conjunto pela DENSO e Toyota Central R&D Labs., Inc., a DENSO utiliza pastilhas epitaxiais de SiC*3 que incorporam os resultados do trabalho encomendado pela New Energy and Industrial Technology Development Organização (NEDO). Como resultado, a DENSO reduziu pela metade o número de defeitos de cristal que impedem o funcionamento normal do dispositivo devido à desordem do arranjo atômico do cristal.• Ao reduzir os defeitos de cristal, a qualidade dos dispositivos semicondutores de potência de SiC usados ​​em veículos e sua estabilidade produção são garantidos.

A DENSO chama sua tecnologia SiC de "REVOSIC®" e a utiliza para desenvolver tecnologias abrangentes para produtos que variam de wafers a dispositivos semicondutores e módulos como cartões de energia. A DENSO contribuirá para a realização de uma sociedade neutra em carbono por meio do desenvolvimento voltado para gerenciamento de energia para veículos, ao mesmo tempo em que utiliza o subsídio do Green Innovation Fund (GI Fund) *4, que foi adotado em 2022.

*1 Estrutura MOS tipo trincheira exclusiva da DENSO: Dispositivos semicondutores com uma porta de trincheira usando a tecnologia patenteada de relaxamento de campo elétrico da DENSO.*2 Resistência: Uma medida da facilidade do fluxo de corrente; quanto menor o valor, menor a perda de energia.*3 SiC epitaxial wafers: SiC single crystalline wafers com camada fina de SiC epitaxialmente cultivada.*4 Green Innovation Fund (GI Fund): O GI Fund foi criado pelo Ministério da Economia, Comércio e Indústria (METI) e atribuído à NEDO com o objetivo de alcançar a neutralidade de carbono até 2050. A DENSO foi selecionada para receber subsídios para um projeto de desenvolvimento de tecnologia de fabricação de dispositivos semicondutores de energia de última geração (para veículos elétricos).

fotos do produto

Inversor

Cartão de Poder

【Referência】Para mais detalhes do REVOSIC®, visite: https://www.denso.com/global/en/news/newsroom/2020/20201210-g01/